SIHB24N65E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A

Код товара: 232609

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB24N65E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

650В

Ток стока макс.

24A

Сопротивление открытого канала

145 мОм

Мощность макс.

250Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

122нКл

Входная емкость

2740пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DBІPAK

Описание SIHB24N65E-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHB24N65E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 654
Почта России
от 1 раб. дня
от 366
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219
от 1 раб. дня
от 208
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.