SIHB30N60E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Код товара: 232610

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB30N60E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

600В

Ток стока макс.

29A

Сопротивление открытого канала

125 мОм

Мощность макс.

250Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

130нКл

Входная емкость

2600пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DBІPAK

Вес брутто

2 г.

Описание SIHB30N60E-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHB30N60E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 143
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.