SIHD3N50D-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A

Код товара: 232613

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHD3N50D-GE3
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
1 шт
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

500В

Ток стока макс.

3A

Сопротивление открытого канала

3.2 Ом

Мощность макс.

69Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

5В

Заряд затвора

12нКл

Входная емкость

175пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-252AA

Описание SIHD3N50D-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Разрешительная документация

Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHD3N50D-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.