SIHD5N50D-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Код товара: 232614

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHD5N50D-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1 шт
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

500В

Ток стока макс.

5.3A

Сопротивление открытого канала

1.5 Ом

Мощность макс.

104Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

20нКл

Входная емкость

325пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-252AA

Описание SIHD5N50D-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHD5N50D-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 173
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.