SIHD6N65E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A

Код товара: 232615

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHD6N65E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
75 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

650В

Ток стока макс.

7A

Сопротивление открытого канала

600 мОм

Мощность макс.

78Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

48нКл

Входная емкость

820пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание SIHD6N65E-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHD6N65E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 148
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.