Одиночные MOSFET транзисторы

40
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
780мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
97пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
48 284 шт

Внешние склады:
18 200 шт
Аналоги:
129 815 шт
Цена от:
от 6,01
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.76А 0.54Вт, 0.60 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
760мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.1нКл
Входная емкость:
75пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 780 шт

Внешние склады:
31 000 шт
Аналоги:
74 833 шт
Цена от:
от 6,35
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5А 43Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 259 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
765 шт
Цена от:
от 15,80
-6% Акция
STD10NM60ND STD10NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
577пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 209 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,45
Акция
IRFR9120TRPBF IRFR9120TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 565 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,40
Акция
STD8N65M5 STD8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
569 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 100,05
IRFU9120PBF IRFU9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6А 42Вт, 0.60 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
I-Pak (TO-251AA)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
424 шт

Внешние склады:
1 040 шт
Цена от:
от 78,40
IRFD9120PBF IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
352 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 147,64
Акция
IRF9520PBF IRF9520PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
135 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 58,85
-6% Акция
SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 164,16
-6% Акция
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
530 шт
Цена от:
от 205,25
IRF740BPBF IRF740BPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
526пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
193 шт
Цена от:
от 82,13
FCD600N60Z FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCPF7N60 FCPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
557пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPA65R600C6XKSA1 IPA65R600C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
20.5нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R600C6BTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3А TO252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"