SIHD6N65E-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А

Код товара: 232615

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHD6N65E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
75 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

650В

Ток стока макс.

7A

Сопротивление открытого канала

600 мОм

Мощность макс.

78Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

48нКл

Входная емкость

820пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Описание SIHD6N65E-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHD6N65E-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.