8 800 1000 321 - контакт центр

SIS412DN-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А, 15.6W

  • SIS412DN-T1-GE3 - PowerPAKВ® 1212-8

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Vishay

Описание

MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А, 15.6W

Документация

DataSheet
Код товара: 232740
Дата обновления: 23.02.2019 17:00
Цена за 1шт: 31.41 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 497 шт: 24.640 руб.
от 249 шт: 25.480 руб.
от 125 шт: 26.700 руб.
от 63 шт: 29.180 руб.
от 1 шт: 31.410 руб.
341 штНа складе1 шт.10 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 6 000 шт: 18.737 руб.
от 3 000 шт: 19.071 руб.
9 000 шт.10 раб. дн.3 000 шт.3 000 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Нормоупаковка
3000 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Вес нетто
0.5 г
Напряжение исток-сток макс.
30V
Ток стока макс.
12A (Tc)
Сопротивление открытого канала
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Мощность макс.
15.6W
Тип транзистора
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
2.5V @ 250 µA
Заряд затвора
12nC @ 10V
Входная емкость
435pF @ 15V
Тип монтажа
Surface Mount

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
10 шт.
Интернет-магазин
9341 шт.

C этим товаром покупают:

Резисторы
KNP200JB-73-220R
Цена от
4.43 руб.
Оптоэлектроника
SIS412DN-T1-GE3 - PowerPAKВ® 1212-8
Цена от
6.48 руб.
Транзисторы
STGP8NC60KD
Цена от
41.26 руб.
Диоды и тиристоры
MCR100-6G
Цена от
8.45 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке