STB9NK50ZT4, Транзистор полевой N-канальный 500В 7.2A
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Транзистор полевой N-канальный 500В 7.2A
Транзистор полевой N-канальный 500В 7.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STB9NK50ZT4
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка1000 шт
-
Вес брутто1.35 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STB9NK50ZT4
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.2 А; Rси(вкл): 0.85 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 850 мОм
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 7.2 A |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
Максимальное рассеяние мощности | 110 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 9.35мм |
Высота | 4.6мм |
Размеры | 10.4 x 9.35 x 4.6мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.4мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 17 нс |
Производитель | STMicroelectronics |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Серия | MDmesh, SuperMESH |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 850 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 32 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 910 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара