STB9NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный 600В 7А 125Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Транзистор полевой N-канальный 600В 7А 125Вт
Транзистор полевой N-канальный 600В 7А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STB9NK60ZT4
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка1000 шт
-
Вес брутто2.11 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STB9NK60ZT4
The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
• Improved ESD capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Extremely high dV/dt capability
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.95 ом при 3.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 5.3 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…4.5 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара