STD10NM60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 70Вт
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 70Вт
Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STD10NM60N
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.6 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STD10NM60N
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 ом при 4a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
Корпус | dpak |
Вес, г | 0.4 |
Сообщите мне о поступлении товара