STD10P6F6, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A
Цена от:
43,25 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание STD10P6F6
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 30 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 7.45мм |
| Высота | 2.38мм |
| Размеры | 6.6 x 7.45 x 2.38мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.6мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 64 нс |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Типичное время задержки выключения | 14 нс |
| Серия | STripFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 160 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 340 пФ при -48 В |
| Тип канала | A, P, WRU |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1.1V |
| Вес, г | 0.4 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STD10P6F6 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 271 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара