STD10P6F6, Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STD10P6F6
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт.
-
Вес брутто0.6 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STD10P6F6
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 30 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 7.45мм |
| Высота | 2.38мм |
| Размеры | 6.6 x 7.45 x 2.38мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.6мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 64 нс |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Типичное время задержки выключения | 14 нс |
| Серия | STripFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 160 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 340 пФ при -48 В |
| Тип канала | A, P, WRU |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1.1V |
| Вес, г | 0.4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара