STQ1NK60ZR-AP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A
Цена от:
13,68 руб.
Внешние склады
-
19+ 80+78,12 ₽ 72,12 ₽Срок:7 днейНаличие:80Минимум:Мин: 19Количество в заказ
-
515+ 765+ 1517+ 7590+ 37923+16,98 ₽ 14,64 ₽ 14,28 ₽ 13,92 ₽ 13,68 ₽Срок:25 днейНаличие:80 000Минимум:Мин: 515Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STQ1NK60ZR-AP
The STQ1NK60ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt capability
| Вес, г | 0.3 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка STQ1NK60ZR-AP , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара