STQ1NK60ZR-AP, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STQ1NK60ZR-AP
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO92-3
-
Тип упаковкиAmunition Pack (лента в коробке)
-
Нормоупаковка2000 шт.
-
Вес брутто0.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STQ1NK60ZR-AP
The STQ1NK60ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt capability
| Вес, г | 0.3 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара