STQ1NK60ZR-AP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A
Цена от:
20,52 руб.
Внешние склады
-
346+ 502+ 1004+ 5019+25,05 ₽ 21,61 ₽ 21,06 ₽ 20,52 ₽Срок:25 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 346Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STQ1NK60ZR-AP
The STQ1NK60ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt capability
| Вес, г | 0.3 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STQ1NK60ZR-AP , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 169 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара