STQ1NK60ZR-AP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A

Код товара: 242416

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STQ1NK60ZR-AP
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Тип упаковки:
Amunition Pack (лента в коробке)
Нормоупаковка:
2000 шт
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

600В

Ток стока макс.

300мА

Сопротивление открытого канала

15 Ом

Мощность макс.

3Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

4.5В

Заряд затвора

6.9нКл

Входная емкость

94пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO92-3

Вес брутто

0.339 г.

Описание STQ1NK60ZR-AP

The STQ1NK60ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.

• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt capability

Вес, г0.3

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка STQ1NK60ZR-AP , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 169
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.