FF150R12YT3BOMA1, Биполярный транзистор IGBT
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 9-Pin Tray
Биполярный транзистор IGBT
Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF150R12YT3BOMA1
Технические параметры
-
Нормоупаковка1 шт.
Описание FF150R12YT3BOMA1
Биполярный транзистор IGBT
Сообщите мне о поступлении товара
