FDA59N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDA59N25
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 59 A, 390 W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
392Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
208,77 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 4+ 8+ 16+356,06 ₽ 352,08 ₽ 347,16 ₽ 340,72 ₽ 331,35 ₽Срок:В наличииНаличие:25Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 4+ 8+ 16+356,06 ₽ 352,08 ₽ 347,16 ₽ 340,72 ₽ 331,35 ₽Срок:В наличииНаличие:30Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
4+ 11+ 23+ 100+514,13 ₽ 489,65 ₽ 481,49 ₽ 452,92 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 4Количество в заказ
-
3+514,50 ₽Срок:7 днейНаличие:5Минимум:Мин: 3Количество в заказ
-
36+ 52+ 103+248,36 ₽ 214,17 ₽ 208,77 ₽Срок:25 днейНаличие:390Минимум:Мин: 36Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDA59N25
The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 63nC Typical low gate charge
• 70pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
| Base Product Number | FDA59 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power Dissipation (Max) | 392W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 29.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | UniFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDA59N25 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара