FDA59N25, Транзистор полевой N-канальный 250В 59А 390Вт
Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 59 A, 390 W
Транзистор полевой N-канальный 250В 59А 390Вт
Транзистор полевой N-канальный 250В 59А 390Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDA59N25
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3P(N)
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто6.86 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDA59N25
The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 63nC Typical low gate charge
• 70pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
Base Product Number | FDA59 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 59A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power Dissipation (Max) | 392W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 29.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | UniFETв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 6.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара