FDA59N25, Транзистор полевой N-канальный 250В 59А 390Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 59 A, 390 W

Транзистор полевой N-канальный 250В 59А 390Вт
Код товара: 308108
Дата обновления: 25.04.2024 17:05
Доставка FDA59N25 , Транзистор полевой N-канальный 250В 59А 390Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-3P(N)
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт
  • Вес брутто
    6.86 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    59A
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание FDA59N25

The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 63nC Typical low gate charge
• 70pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested

Base Product NumberFDA59 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4020pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Power Dissipation (Max)392W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 29.5A, 10V
REACH StatusREACH Unaffected
RoHS StatusROHS3 Compliant
SeriesUniFETв„ў ->
Supplier Device PackageTO-3PN
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250ВµA
Вес, г6.5