RD01MUS1, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 600мА 3,6Вт 520МГц Tch=150°C
Obsolete
Field-effect transistor, radio frequency, 520 MHz, 0.8 W, 7.2 V
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 600мА 3,6Вт 520МГц Tch=150°C
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 600мА 3,6Вт 520МГц Tch=150°C
Производитель:
Mitsubishi Electric
Артикул:
RD01MUS1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-89-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка200 шт
-
Вес брутто0.09 г.
Описание RD01MUS1
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.6 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | - |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.06 |
Крутизна характеристики, S | - |
Корпус | sot89 |
Особенности | 520мгц 1вт |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара