RD07MVS1-T51, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Name: RD07MVS1-T51, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Brand: Mitsubishi Electric
SKU: 316048
Availability: InStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Obsolete

Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

RD07MVS1 pdf, 308,2 кБ

Код товара: 316048

Дата обновления: 26.04.2024 16:10

Цена от: 358,17 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка RD07MVS1-T51 , Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

QFN12
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

100 шт
Вес брутто

0.14 г.

Описание RD07MVS1-T51

Характеристики

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	-
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	50
Крутизна характеристики, S	-
Корпус	slp
Особенности	175/520мгц 7вт
Пороговое напряжение на затворе	2.4

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
RD07MVS1B Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V

Сообщить о поступлении

MIT

QFN12

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← RD01MUS1 RD12MVS1-501 →