8 800 1000 321 - контакт центр

RD07MVS1, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Obsolete
  • RD07MVS1

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Mitsubisi Electronics

Описание

Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Документация

DataSheet
Код товара: 316048
Дата обновления: 17.10.2018 16:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 22 шт: 236.200 руб.
от 11 шт: 245.780 руб.
от 6 шт: 260.000 руб.
от 3 шт: 277.870 руб.
от 1 шт: 298.520 руб.
39 штНа складе1 шт.1 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 64 шт: 269.281 руб.
от 16 шт: 276.493 руб.
от 2 шт: 288.514 руб.
100 шт.7 дн.1 шт.2 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
QFN12
Нормоупаковка
100 шт.
Тип упаковки
Cut Tape (CT)
Вес нетто
3 г

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
39 шт.
Интернет-магазин
139 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
RD07MVS1B
MITQFN12246.3418263.57221

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм-
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Крутизна характеристики, S-
Корпусslp
Особенности175/520мгц 7вт
Пороговое напряжение на затворе2.4

Поделиться:
сообщение об ошибке