8 800 1000 321 - контакт центр

RD07MVS1, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Obsolete
  • RD07MVS1

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Mitsubisi Electronics

Описание

Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Документация

DataSheet
Код товара: 316048
Дата обновления: 22.08.2018 03:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 26 шт: 229.910 руб.
от 13 шт: 239.490 руб.
от 7 шт: 253.700 руб.
от 4 шт: 271.560 руб.
от 1 шт: 292.190 руб.
39 шт 1 день1 шт.1 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 72 шт: 240.261 руб.
от 18 шт: 246.696 руб.
от 9 шт: 257.421 руб.
160 шт.7 дн.1 шт.9 шт.
от 64 шт: 268.818 руб.
от 16 шт: 276.017 руб.
от 2 шт: 288.017 руб.
100 шт.7 дн.1 шт.2 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
QFN12
Нормоупаковка
100 шт.
Тип упаковки
Cut Tape (CT)
Вес нетто
3 г

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
39 шт.
Интернет-магазин
299 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
RD07MVS1B
MITQFN12240.5118269.16294

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм-
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Крутизна характеристики, S-
Корпусslp
Особенности175/520мгц 7вт
Пороговое напряжение на затворе2.4

Поделиться:
сообщение об ошибке