8 800 1000 321 - контакт центр
  • RD07MVS1

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Mitsubisi Electronics

Описание

Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V

Полевой транзистор, СВЧ, 175 МГц, 7 Вт, 7.2 В

Документация

DataSheet
Код товара: 316048
Дата обновления: 23.05.2018 03:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 26 шт: 212.750 руб.
от 13 шт: 221.620 руб.
от 7 шт: 234.770 руб.
от 4 шт: 251.300 руб.
от 1 шт: 270.390 руб.
71 шт 1 день1 шт.1 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Удаленные склады
от 72 шт: 230.014 руб.
от 18 шт: 236.174 руб.
от 9 шт: 246.441 руб.
150 шт.7 дн.1 шт.9 шт.
от 2 шт: 286.137 руб.
10 шт.7 дн.1 шт.2 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
QFN12
Нормоупаковка
100 шт.
Тип упаковки
Cut Tape (CT)
Вес нетто
3 г

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
71 шт.
Интернет-магазин
231 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
RD07MVS1B
MITQFN12223.82125273.65306

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм-
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Крутизна характеристики, S-
Корпусslp
Особенности175/520мгц 7вт
Пороговое напряжение на затворе2.4

Поделиться:
сообщение об ошибке