RD12MVS1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 4А 50Вт 175МГц Tch=150°C

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 11.5 W, 7.2 V

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 4А 50Вт 175МГц Tch=150°C

RD12MVS1 pdf, 429,7 кБ

Код товара: 316049

Дата обновления: 21.09.2021 10:25

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка RD12MVS1-501 , Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 4А 50Вт 175МГц Tch=150°C в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SLP2510P8
Тип упаковки

Palette (палетта)
Нормоупаковка

50 шт.
Вес брутто

3.5 г.

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← RD07MVS1-T51 MGF0918A-03 →