FQD2N100TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.6A

Код товара: 335466

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD2N100TM
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

1000В

Ток стока макс.

1.6A

Сопротивление открытого канала

9 Ом

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

15.5нКл

Входная емкость

520пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.36 г.

Описание FQD2N100TM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.6A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQD2N100TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.6A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.