RD07MVS1B, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Obsolete
Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Производитель:
Mitsubishi Electric
Артикул:
RD07MVS1B
Документы:
Технические параметры
-
КорпусQFN12
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка100 шт
-
Вес брутто0.6 г.
Полные аналоги
-
RD07MVS1-T51 Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 VНаличие:36 штМинимум:штЦена от:358,17 ₽MITQFN12
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара