FQP30N06L, Транзистор полевой N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Транзистор полевой N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Транзистор полевой N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FQP30N06L
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.72 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FQP30N06L
The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.
• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Low crss (typical 50pF)
• ±20V Gate-source voltage
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 ом при 16a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
Крутизна характеристики, S | 24 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 2.5 |
Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара