STP20NM50, Транзистор полевой N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Транзистор полевой N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Транзистор полевой N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STP20NM50
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.68 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STP20NM50
The STP20NM50 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics and dynamic performances.
• High dV/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• -65 to 150°C Operating junction temperature range
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара