IRF520NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Транзистор полевой N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

irf520nspbf pdf, 409,0 кБ

Код товара: 355024

Дата обновления: 19.04.2024 00:10

Цена от: 96,55 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF520NSTRLPBF , Транзистор полевой N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

D2Pak (TO-263)
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

200 шт
Вес брутто

1.35 г.
Напряжение исток-сток макс.

100В
Ток стока макс.

9.7A
Сопротивление открытого канала

200 мОм
Мощность макс.

3.8Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

25нКл
Входная емкость

330пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRF520NSTRLPBF

D2PAK/100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200 мОм

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	9,7 А
Тип корпуса	D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности	48 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	9.65мм
Высота	4.83мм
Размеры	10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.67мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	4.5 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	32 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	25 нКл
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	330 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	4

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRLML5203GTRPBF IRFHM9391TRPBF →