Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (44)

Акция

BSH105,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.05A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.05A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

417мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

570mВ

Заряд затвора:

3.9нКл

Входная емкость:

152пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 287 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 14,76₽

Акция

IRF520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 48Вт, 0.20 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 292 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 36,24₽

Акция

IRF520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

64 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 82,44₽

IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

4 080 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 30,90₽

IRF9530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

505 шт

Внешние склады:

110 шт

Цена от:

от 47,10₽

IRFL4310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

11 379 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 27,18₽

Акция

IRLMS6702TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro6 (SOT23 6L)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 938 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 4,02₽

BSH105,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.05A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.05A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

417мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

570mВ

Заряд затвора:

3.9нКл

Входная емкость:

152пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 287 шт

Цена от:

от 14,76₽

FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN336P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9540SPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 19A 150Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI9540GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 11А 48Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ14GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

27Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

24 758 шт

Цена от:

от 27,18₽

IRFM120ATF Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"