RD35HUP2-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
Field-effect transistor, radio frequency, 12.5 V, 175 MHz, 14.7 дБ, 30 W
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
Производитель:
Mitsubishi Electric
Артикул:
RD35HUP2-501
Документы:
Технические параметры
-
КорпусCeramic
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка15 шт
-
Вес брутто0.05 г.
Полные аналоги
-
RD30HVF1 Field-effect transistor, radio frequency, 12.5 V, 175 MHz, 14.7 дБ, 30 WНаличие:7 штМинимум:штЦена от:2 060,22 ₽MITCeramic
Сообщите мне о поступлении товара