NE3210S01-T1B, Транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием AIGaAs и нелегированным InGaAs диапазон 12ГГц

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

FET RF 4V 12GHZ S01

Транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием AIGaAs и нелегированным InGaAs диапазон 12ГГц

_ne3210s01-t1b_ pdf, 207,3 кБ

Код товара: 424457

Дата обновления: 08.09.2023 12:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка NE3210S01-T1B , Транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием AIGaAs и нелегированным InGaAs диапазон 12ГГц в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

2500 шт
Вес брутто

0.05 г.

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← RD35HUP2-501 PD54008-E →