IRF7329TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 12В 9.2A 8-Pin SOIC лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
Транзистор полевой P-канальный 12В 9.2A 8-Pin SOIC лента на катушке
Транзистор полевой P-канальный 12В 9.2A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7329TRPBF
Документы:
Описание IRF7329TRPBF
MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9,2 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 10 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 340 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 30 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 12 В перем. тока/пост. тока |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 38 nC @ 4.5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 3450 пФ при -10 В |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7329PBF MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOICНаличие:158 штМинимум:штЦена от:61,91 ₽INFSOIC8
Сообщите мне о поступлении товара