FDPF18N50, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDPF18N50
Документы:
Описание FDPF18N50
TO-220F/N-Channel UniFET MOSFET 500V, 18A, 265mO
Корпус TO220FULLPAK3
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 18 A |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Максимальное рассеяние мощности | 38,5 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 9.19мм |
| Размеры | 10.16 x 4.7 x 9.19мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.16мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 55 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 265 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 45 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2200 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара