Одиночные MOSFET транзисторы

₂₀

Мощность макс.: 38Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

-6% Акция

FDPF10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1475пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

56 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 48,82₽

Акция

FDPF18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18А

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

43 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 179,33₽

IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

18 256 шт

Внешние склады:

44 440 шт

Аналоги:

50 870 шт

Цена от:

от 11,53₽

Акция

IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 291 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 360 шт

Цена от:

от 58,53₽

FDPF44N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

69 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

2870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 203,60₽

HUF76407D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

92 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 149,63₽

IRFR9024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Аналоги:

170 262 шт

Цена от:

от 37,73₽

RFD3055LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 49,03₽

-6% Акция

SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

24 шт

Внешние склады:

13 000 шт

Цена от:

от 43,32₽

AUIRFR9024NTRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

175 мОм @ 6.6А, 10В

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

19нКл @ 10В

Входная емкость:

350пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 6.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N25CT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

430 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

710пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

176 262 шт

Цена от:

от 6,51₽

RFD3055LE Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPD03N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP03N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STL4N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

10.5нКл

Входная емкость:

175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.53599 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"