MBR1100G, DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
52,08 руб.
-
25+ 100+ 200+ 1000+60,96 ₽ 56,28 ₽ 55,32 ₽ 52,08 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 25Количество в заказ
-
25+58,98 ₽Срок:7 днейНаличие:70Минимум:Мин: 25Количество в заказ
Технические параметры
Описание MBR1100G
The MBR1100G is an axial-lead Schottky Rectifier with epoxy moulded case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
• Cathode indicated by polarity band
• Low reverse current
• Low stored charge, majority carrier conduction
• Low power loss/high efficiency
• Highly stable oxide passivated junction
• Guard-ring for stress protection
• Low forward voltage
• High surge capacity
• All external surfaces corrosion-resistant
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 100 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 790 мВ при 1 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 500 мкА при 100 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -65…+175 C |
| Корпус | DO-204AL / DO-41 |
| Вес, г | 0.4 |
