IRF7854TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7854TRPBF
Документы:
Технические параметры
Описание IRF7854TRPBF
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 12s |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5 |
| Типичное время задержки включения | 9.4 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 15 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 13,4 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 80 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1620 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7854PBF N-Ch 80V 10A 2,5W 0,0134 ОмINFSO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара