IRF7854TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Цена от:
63,25 руб.
Внешние склады
-
14+ 80+89,21 ₽ 84,96 ₽Срок:7 днейНаличие:80Минимум:Мин: 14Количество в заказ
-
33+ 79+ 158+ 1026+71,79 ₽ 68,38 ₽ 67,24 ₽ 63,25 ₽Срок:10 днейНаличие:1 026Минимум:Мин: 33Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF7854TRPBF
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 12s |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5 |
| Типичное время задержки включения | 9.4 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 15 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 13,4 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 80 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1620 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRF7854TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 320 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара