Одиночные MOSFET транзисторы

101
Напряжение сток-исток макс.: 80В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (101)
BSZ340N08NS3G BSZ340N08NS3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 161,59
Новинка
BUK964R7-80E,118 BUK964R7-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
324Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
92.1нКл @ 5В
Входная емкость:
15340пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
95 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,06
-6% Акция
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-FP
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
60А
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
74 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,61
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 166A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
166А
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
171 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 261,47
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 340 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 60,48
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 300 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 65,06
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
594 шт

Внешние склады:
60 шт
Аналоги:
680 шт
Цена от:
от 93,12
Акция
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
25.2 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 223 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 97,48
WMB040N08HGS WMB040N08HGS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 130А
Производитель:
Wayon
Корпус:
PDFN5*6
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
130А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
2 485 шт

Внешние склады:
11 121 шт
Цена от:
от 35,40
WMK040N08HGS WMK040N08HGS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 180А
Производитель:
Wayon
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
180А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
295 шт

Внешние склады:
15 476 шт
Цена от:
от 33,20
WMK80N08TS WMK80N08TS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 80А
Производитель:
Wayon
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
635 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,68
-6% Акция
WMO80N08TS WMO80N08TS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 80А
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
209 шт

Внешние склады:
8 066 шт
Цена от:
от 16,92
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
10680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 868 шт
Цена от:
от 220,69
HUF75545P3 HUF75545P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
235нКл
Входная емкость:
3750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 253,08
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 286 шт
Цена от:
от 64,42
SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
2.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
270 мОм @ 1.2А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
17нКл @ 10В
Входная емкость:
500пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 942 шт
Цена от:
от 84,27
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
680 шт
Аналоги:
654 шт
Цена от:
от 93,59
STD40P8F6AG STD40P8F6AG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 40A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 127,93
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
11.2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 шт
Цена от:
от 297,23
AOB286L AOB286L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 13A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-263
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
13A(Ta),70A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
3142пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"