IRF9335TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R

Транзистор полевой P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке
Код товара: 375330
Дата обновления: 26.04.2024 16:10
Цена от: 35,92 руб.
Доставка IRF9335TRPBF , Транзистор полевой P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    SO-8
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    4000 шт
  • Вес брутто
    0.22 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRF9335TRPBF

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.

Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-5.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.059 ом при-5.4a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S5.4
Корпусso8
Особенностибыстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе-2.4
Вес, г0.15