IPT007N06NATMA1, Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF

Код товара: 403925

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IPT007N06NATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
200 шт
Корпус:
HSOF8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
0.75 мОм @ 150А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

60В

Ток стока макс.

300A(Tc)

Сопротивление открытого канала

0.75 мОм @ 150А, 10В

Мощность макс.

375Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

3.3В @ 280 µA

Заряд затвора

216нКл @ 10В

Входная емкость

16000пФ @ 30В

Тип монтажа

Surface Mount

Вес брутто

0.93 г.

Описание IPT007N06NATMA1

Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IPT007N06NATMA1 , Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.