SIHG35N60EF-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SIHG35N60EF-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 32A, 600V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:250W
Нормоупаковка:
1 шт
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
32А
Сопротивление открытого канала:
0.084Ом
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Цена от:
629,92 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SIHG35N60EF-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHG35N60EF-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 5 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара