SIHG35N60EF-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SIHG35N60EF-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 32A, 600V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:250W
В упаковке:
1 шт
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
32А
Сопротивление открытого канала:
0.084Ом
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
629,92 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SIHG35N60EF-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHG35N60EF-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара