SIHG35N60EF-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт

Код товара: 421384

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHG35N60EF-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 32A, 600V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:250W
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
32А
Сопротивление открытого канала:
0.084Ом
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канальный

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

600В

Ток стока макс.

32А

Сопротивление открытого канала

0.084Ом

Мощность макс.

250Вт

Тип транзистора

N-канальный

Тип монтажа

Through Hole

Вес брутто

6.8 г.

Описание SIHG35N60EF-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHG35N60EF-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.