SIHG35N60EF-GE3, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 32 а, 250 вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET, N-CH, 32A, 600V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:250W

Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт
Код товара: 421384
Дата обновления: 21.09.2021 10:25
Доставка SIHG35N60EF-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247
  • Нормоупаковка
    1 шт.
  • Вес брутто
    6.8 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Тип транзистора