AUIRF3205Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Код товара: 435378
Дата обновления: 15.07.2024 16:10
Цена от: 195,62 руб.
Доставка AUIRF3205Z , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 1427
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2620
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 6 раб. дней
от 2142
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220 Isolated Tab
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт
  • Вес брутто
    2.77 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание AUIRF3205Z

Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0065 ом при 66a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт170
Корпусto220ab
ОсобенностиАвтомобильные Приложения
Вес, г2.5