Одиночные MOSFET транзисторы

27
Мощность макс.: 170Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
Акция
AUIRF3205Z AUIRF3205Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 161,52
IRF1104PBF IRF1104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 606 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 117,69
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 101,46
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
701 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,55
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 556 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 43,17
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
188 шт

Внешние склады:
843 шт
Цена от:
от 68,47
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
313 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 97,26
IRFP054NPBF IRFP054NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 81А 170Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
81A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 138,92
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
89A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 261 шт

Внешние склады:
180 шт
Цена от:
от 113,74
-6% Акция
FQP22N30 FQP22N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
9 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 126,84
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
101 шт
Цена от:
от 226,59
-6% Акция
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 97,39
-6% Акция
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,42
AUIRF3205ZS AUIRF3205ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF3205ZSTRL AUIRF3205ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF4905S AUIRF4905S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
180нКл @ 10В
Входная емкость:
3500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-5
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Temperature Protection
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB120N10 FDB120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP120N10 FDP120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP12N50NZ FDP12N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"