Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
AUIRF3205Z AUIRF3205Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
189 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 163,38
IRF1104PBF IRF1104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 826 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 130,62
Акция
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
974 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 110,40
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 292 шт

Внешние склады:
1 983 шт
Цена от:
от 73,44
IRFP054NPBF IRFP054NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 81А 170Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
81A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
410 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 139,56
Акция
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
89A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 87,18
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 197,28
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
126 шт
Цена от:
от 334,80
AUIRF3205ZS AUIRF3205ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF3205ZSTRL AUIRF3205ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF4905S AUIRF4905S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
180нКл @ 10В
Входная емкость:
3500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-5
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Temperature Protection
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB120N10 FDB120N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 74 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP120N10 FDP120N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP12N50NZ FDP12N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 11.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N50 FQP13N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
430 мОм @ 6.25А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
2300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQP22N30 FQP22N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"