IRFBG30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
Цена от:
68,41 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 16+ 32+ 50+ 150+77,49 ₽ 76,46 ₽ 75,16 ₽ 73,45 ₽ 71,05 ₽Срок:В наличииНаличие:51Минимум:4Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 16+ 32+ 50+ 150+77,49 ₽ 76,46 ₽ 75,16 ₽ 73,45 ₽ 71,05 ₽Срок:В наличииНаличие:23Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
7+ 29+ 58+197,88 ₽ 188,46 ₽ 185,32 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 7Количество в заказ
-
16+ 72+ 143+ 287+ 1975+79,08 ₽ 75,31 ₽ 74,06 ₽ 69,66 ₽ 68,41 ₽Срок:7 днейНаличие:1 975Минимум:Мин: 16Количество в заказ
-
22+ 51+ 102+ 204+ 2800+111,35 ₽ 106,05 ₽ 104,28 ₽ 98,10 ₽ 96,33 ₽Срок:10 днейНаличие:2 800Минимум:Мин: 22Количество в заказ
-
96+ 139+ 277+ 1381+ 6905+89,97 ₽ 77,59 ₽ 75,63 ₽ 73,68 ₽ 72,37 ₽Срок:25 днейНаличие:9 248Минимум:Мин: 96Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFBG30PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 ом при 1.9a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 2.1 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRFBG30PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 234 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 341 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара