Одиночные MOSFET транзисторы

26
Заряд затвора: 80нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2А 2,5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 533 шт

Внешние склады:
5 890 шт
Цена от:
от 46,56
-6% Акция
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 363 шт

Внешние склады:
11 374 шт
Цена от:
от 48,33
Акция
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
107 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 149,62
-6% Акция
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 19.7А 5.7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19.7A
Сопротивление открытого канала:
9.8 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,62
STW34NM60N STW34NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 250Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2722пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
659 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 367,70
FDD3670 FDD3670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 34A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 79,98
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80А 245Вт, 4,3 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
245Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 84,49
Акция
FQA11N90C_F109 FQA11N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 661,28
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 138,87
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 21,12
STL100N10F7 STL100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
7.3 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
5680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 179,52
2SK3748-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF-3
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB050AN06A0 FDB050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
245Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQAF11N90C FQAF11N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31А 255Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF7241PBF IRF7241PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 423 шт
Цена от:
от 46,56
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2866пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB120N4LF6 STB120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"