STB80NF03L-04T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A D2PAK
Цена от:
220,97 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание STB80NF03L-04T4
| Серия | STB80NF03L-04T4 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Тип | MOSFET |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 4 g |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Высота | 4.6 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Длина | 10.4 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 95 ns |
| Время нарастания | 270 ns |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB80NF03L-04T4 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A D2PAK
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 627 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара