CSD18535KTTT, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В, 200А, 300Вт, D2PAK, NexFET™
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
CSD18535KTTT
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R
Нормоупаковка:
1 шт
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200А
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена от:
189,41 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание CSD18535KTTT
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | CSD18535KTT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 9.25 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 10.26 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 81 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 263 S |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка CSD18535KTTT , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В, 200А, 300Вт, D2PAK, NexFET™
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара