SI2337DS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
Цена от:
86,15 руб.
Внешние склады
-
8+ 55+ 110+ 220+ 3942+99,59 ₽ 94,85 ₽ 93,27 ₽ 87,73 ₽ 86,15 ₽Срок:5 днейНаличие:3 942Минимум:Мин: 8Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2337DS-T1-E3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SI2 |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1.45 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Технология | Si |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.3 S |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI2337DS-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара