IRF9530NSPBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF9530NSPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF9530NSPBF
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 ом при-8.4a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 |
| Вес, г | 2.5 |
Полные аналоги
-
IRF9530NSTRLPBF MOSFET P-CH 100V 14A D2PAKНаличие:300 штМинимум:штЦена от:63,76 ₽INFD2Pak (TO-263)
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара