IRFU120NPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFU120NPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-251AA
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка75 шт
-
Вес брутто1.02 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFU120NPBF
The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
• 175°C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9,4 А |
| Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
| Максимальное рассеяние мощности | 48 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 2.3мм |
| Высота | 6.1мм |
| Размеры | 6.6 x 2.3 x 6.1мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.6мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 4.5 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 32 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 210 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 330 pF@ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.45 |
Сообщите мне о поступлении товара