GD400HFY120C2S, Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C
IGBT Module, Half Bridge, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C
Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Артикул:
GD400HFY120C2S
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара