SI3430DV-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.8A 6-TSOP

Код товара: 591734

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI3430DV-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
1.8A (Ta)
Сопротивление открытого канала:
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Мощность макс.:
1.14W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

100V

Ток стока макс.

1.8A (Ta)

Сопротивление открытого канала

170 mOhm @ 2.4A, 10V

Мощность макс.

1.14W

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2V @ 250 µA (Min)

Заряд затвора

6.6nC @ 10V

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

6-TSOP

Вес брутто

0.044 г.

Описание SI3430DV-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.8A 6-TSOP

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI3430DV-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.8A 6-TSOP в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.