IRF7341PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом

Код товара: 65855

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF7341PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
95 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
55 В
Ток стока макс.:
4.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Напряжение сток-исток макс.

55 В

Ток стока макс.

4.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Вес брутто

0.16 г.

Описание IRF7341PBF

Характеристики

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S7.9
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1

Полезная информация

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF7341TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
4 159 шт

Под заказ:
59 035 шт
Цена от:
от 18,42
IRF7341TRPBF-VB Функциональный аналог Производитель: VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.
Новинка
IRF7341TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт Производитель: Hottech Co. Ltd

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF7341PBF , Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 17 раб. дней
от 720
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.